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欧州委員会とJSTによる共同助成プログラムの採択結果(パワーエレクトロニクス)

Funding opportunities

この度、科学技術振興機構(JST)が実施する戦略的国際共同研究プログラム(SICORP)「日本-EU共同研究」において、「パワーエレクトロニクス」分野と「希少元素代替材料」分野に関する共同研究課題1件が採択されましたのでお知らせいたします。本公募は、EUの科学技術関係機関である欧州委員会研究イノベーション総局(EC DG RTD)がHorizon 2020の枠組みで実施した公募に応じるコンソーシアムに参加する日本の研究者に対して、JSTが研究費を提供するという枠組みの下募集されました。コンソーシアムには、欧州から9機関、日本から2機関が参加しています。なお、もう一つの募集テーマ「希少元素代替材料」では採択者なしという結果となりました。

プロジェクト概要

「本研究プロジェクトの目的は、窒化物半導体材料の持つポテンシャルを十分に引き出して、工業用および車載用に応用可能な頑健性(ロバスト性)と高信頼性を示す高・中耐圧パワーデバイスを開発し、エネルギーの高効率利用に貢献することである。本研究プロジェクトでは、対象材料をシリコン基板上窒化ガリウム(以下GaN/Siと表記)とサファイア基板上窒化アルミニウム(以下AlN/sapphireと表記)として次世代パワーデバイスの開発を進める。日本側はGaN/Si系パワーデバイスの開発には関与せず、AlN/sapphire系パワーデバイスの開発にのみ寄与する。AlN/sapphire系材料は高い絶縁性基板として非常に重要であるが、その開発はまだ始まったばかりである。本研究プロジェクトでは、(1)GaN/Si系パワーデバイスの頑健性・信頼性を向上させること、(2)GaN/Si系で得られた知見をフィードバックしAlN/sapphire系パワーデバイスの開発を加速させることを目標としている。日本側研究チームは、AlN/sapphire系開発では最も重要な結晶成長と高品質化技術を担当する。(JSTの結果発表より抜粋)」

日本側採択者

  • 国立大学法人 三重大学
  • 国立大学法人 九州大学

欧州側採択者

  • 【欧州側コーディネーター】UNIVERSITA DEGLI STUDI DI PADOVA(イタリア)
  • CONSTRUCTIONS ELECTRONIQUES + TELECOMMUNICATIONS(ベルギー)
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNRS (フランス)
  • ROBERT BOSCH GMBH(ドイツ)
  • FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.(ドイツ)
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT(ドイツ)
  • EPIGAN NV(ベルギー)
  • ON SEMICONDUCTOR BELGIUM BVBA(ベルギー)
  • UNIVERSITEIT GENT(ベルギー)

詳細につきましては、下記のリンクをご確認ください。

欧州委員会:http://ec.europa.eu/research/iscp/index.cfm?pg=japan

科学技術振興機構(JST):http://www.jst.go.jp/pr/info/info1236/index.html